Máy quang phổ (OES) phân tích hợp kim để bàn
Hitachi - OE750
Máy quang phổ OE750 sử dụng cho phòng thí nghiệm với độ chính xác rất cao, có dải bước sóng phân tích rất rộng: 119 – 766 nm
Gọi (+84) 283 894 0623 để được tư vấn.
Đặc Tính Kỹ Thuật
- Sử dụng nhiều công nghệ vượt trội: cảm biến CMOS, công nghệ Jet-stream, auto profiling
- Máy quang phổ phân tích hợp kim sử dụng phương pháp quang phổ phát xạ rất phổ biến trong phân tích hợp kim nhờ khả năng phân tích được nguyên tố carbon.
- Bộ nguồn tạo tia lửa điện thế hệ mới của thiết bị đảm bảo khả năng kích thích tối ưu cho nhiều loại hợp kim khác nhau.
- Hệ quang học Multi-CMOS độ phân giải cao cho phép phân tích chính xác cho toàn bộ dải phổ cho tất cả các hợp kim với các nền khác nhau
- Bộ gá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, cho phép việc phân tích an toàn, hiệu quả cho các mẫu với hình dạng khác nhau, kể cả có hình dạng bất thường.
- Khả năng phân tích lên đến 35 nguyên tố (tùy loại hợp kim)
- Có khả năng phân tích C, S với giới hạn thấp tới 2 ppm
- Có khả năng phân tích nguyên tố khí O, H, N (trong 1 số nền hợp kim)
- Cấp kèm 1 cơ sở dữ liệu Mác vật liệu (GRADE database) với hơn 350,000 Mác hợp kim theo hơn 15 triệu tên gọi khác nhau từ 70 nước và nhiều tiêu chuẩn (DIN/EN, ASTM, AISI, JIS, Gost… )
- Chia sẻ dữ liệu tức thì ONLINE qua Cloud Server với chức năng ExTope Connect
Ứng Dụng
- Quality control for process and melt verification: analysis mode/grade identification
- All relevant alloying, residual, treatment, trace and tramp elements with low limits of detection
- Hợp kim Fe (N 10 ppm)
- Hợp kim Al
- Hợp kim Cu: Bronze, Messing, Cu-Ni, …
- Hợp kim Ni (N 20 ppm)
- Ti: Ti pure, Ti.6-4, Ti.8-Mn, bao gồm các loại khí như H, O, N
- Hợp kim Mg, Co, Pb, Sn, Zn
Thông Số Kỹ Thuật
| Tổng quan | |
| Kích thước | 425 mm x 760 mm x 535mm (WxDxH) |
| Nguồn điện | 100 - 240 V AC (50/60 Hz) |
| Khối lượng | 88kg |
| Công suất tiêu thụ | Tối đa 430W |
| Công suất tiêu thụ chế độ chờ | 45W (50W Source on) |
| Khí Argon | |
| Độ tinh khiết | Min 4.8 |
| Áp suất đâu vào | 3 Bar |
| Hệ thống quang học | |
| Hệ quang học | Theo nguyên lý Paschen-Runge Mounting |
| Đường truyền ánh sáng trực tiếp đến buồng quang học. | |
| Dải bước sóng phân tích | 119 – 670 nm (có thể mở rộng lên 766 nm) |
| Cảm biến | Cảm biến Multi-CMOS (4096 pixel per chip) với độ phân giải Pixel được tối ưu hóa. |
| Độ tương phản | |
| Tiêu cự | 400 mm |
| Mật độ rãnh | |
| Hệ thống chân không | Bơm có công suất 700w, có độ ồn thấp, ít phát sinh nhiệt và không cần bảo dưỡng bơm. |
| Kết nối qua Shut-off- valve, dễ dàng bảo dưỡng và thay thế cửa sổ quang học | |
| Bộ phát plasma | Kỹ thuật phát tia lửa điện năng lượng cao (HEPS) giúp đốt mẫu tốt hơn |
| Cài đặt các thông số bằng phần mềm | |
| Tần số: 80 – 1000 Hz | |
| Điện áp: 250 - 500 V | |
| Bộ gá kẹp mẫu | Bộ gá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, có thể đặt có những mẫu có kích thước |
| Kết cấu Jet-Stream-electrode cho thực hiện trên các mẫu nhỏ và mẫu có hình dạng phức tạp. Tối ưu hóa mức tiêu thụ Argon là thấp nhất. | |
| Bàn kẹp mẫu được điều chỉnh đa năng | |
| Tấm nắp có thể thay đổi cho từng loại mẫu khác nhau. | |
| Giới hạn phân tích của 1 số nguyên tố | C: 2 ppm; B: 1ppm; Si: 5 ppm; P: 2 ppm; S: 2 ppm; Mg: 1 ppm; N: 5 ppm; O: 10ppm; |