Thiết bị quang phổ (OES) phân tích hợp kim để bàn && Model OE750

Thiết bị quang phổ (OES) phân tích hợp kim để bàn Model OE750

Máy Quang Phổ phân tích hợp kim Sử dụng cho phòng thí nghiệm với độ chính xác rất cao. Máy phân tích có dải bước sóng phân tích rất rộng: 119 – 766 nm (Dải nguyên tố từ H - U)

Máy quang phổ phân tích hợp kim hay còn gọi là thiết bị kiểm tra thành phần kim loại đang được các doanh nghiệp và các tổ chức hoạt động trong lĩnh vực Đúc kim loại đen, Đúc kim loại màu, Gia công kim loại, Luyện kim đen, Luyện kim màu, Phân tích vật liệu, Nghiên cứu vật liệu sử dụng ngày càng nhiều hơn để giám sát thành phần hóa học của các nguyên tố trong kim loại.

Khác với các dòng máy tương tự của các hãng sản xuất khác, thiết bị của hãng Hitachi High-tech sử dụng nhiều công nghệ vượt trội như sử dụng cảm biến CMOS, công nghệ Jet- stream, auto profiling…

Máy quang phổ phân tích hợp kim OE750 là dòng thiết bị phân tích thành phần kim loại có độ chính xác cao trong phòng thí nghiệm. Máy quang phổ phân tích hợp kim sử dụng phương pháp quang phổ phát xạ rất phổ biến trong phân tích hợp kim nhờ khả năng phân tích được nguyên tố carbon. Bộ nguồn tạo tia lửa điện thế hệ mới của thiết bị đảm bảo khả năng kích thích tối ưu cho nhiều loại hợp kim khác nhau. Hệ quang học Multi-CMOS độ phân giải cao cho phép phân tích chính xác cho toàn bộ dải phổ cho tất cả các hợp kim với các nền khác nhau
Bộ giá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, cho phép việc phân tích an toàn, hiệu quả cho các mẫu với hình dạng khác nhau, kể cả có hình dạng bất thường. Hơn thế nữa máy quang phổ phân tích hợp kim OE750 sử dụng công nghệ Jet-stream-Technology bao phủ hiệu quả điện cực và mẫu trong giá kẹp mẫu với 1 dòng khí argon, giúp hệ thống đạt được 2 lợi thế:
- Tiêu hao khí argon rất ít, giảm chi phí vận hành xuống mức tối thiểu
- Không cần phải làm kín các mặt hở của giá thử cho phép đặt mẫu phân tích dạng ống, thanh, dây trên giá thử một cách dễ dàng. Việc này cho phép giảm tối đa thời gian chuẩn bị mẫu.
Có giới hạn phân tích thấp: (C: 5 ppm; B: 1ppm; Si: 5 ppm; P: 2 ppm; S: 5 ppm; Mg: 1 ppm; N: 10 ppm, H: 100ppm...)
Khả năng phân tích lên đến 35 nguyên tố (tùy loại hợp kim); Có khả năng phân tích C, S với giới hạn thấp tới 2 ppm. Có khả năng phân tích nguyên tố khí O, H, N (trong 1 số nền hợp kim).
Buồng quang học:
-Sử dụng đường truyền phổ ánh sáng trực tiếp (không dùng cáp quang) đảm bảo khả năng truyền phổ tốt nhất.
-Sử dụng đa cảm biến CMOS có độ phân giải cao 4096 pixel/ chip lắp đặt theo nguyên lý Paschen-Runge trong buồng quang học Chân không.
-Kích thước Pixel (trên cảm biến CMOS): ≤ 7 µm
-Số lượng CMOS detector: 15 (tùy chọn 16)
-Khoảng cách tiêu điểm: 400 mm
-Sử dụng hệ khí argon mức áp suất trung bình (đảm bảo an toàn hơn cho buồng quang học, giảm mức tiêu thụ argon).
Cấp kèm 1 cơ sở dữ liệu mác (GRADE database) với hơn 350,000 mác hợp kim theo hơn 15 triệu tên gọi khác nhau từ 70 nức và nhiều tiêu chuẩn (DIN/EN, ASTM, AISI, JIS, Gost… )
Chia sẻ dữ liệu tức thì ONLINE qua Cloud Server với chức năng ExTope Connect

Xem thêm chi tiết thiết bị trên website của hãng sản xuất Hitachi

Tổng quan
Kích thước	435 mm x 760 mm x 535mm (WxDxH)
Nguồn điện	100-250 VAC (50/60 Hz)
Khối lượng	88kg
Công suất tiêu thụ trung bình	Máy chính 430W
Công suất tiêu thụ chế độ chờ	45W (50W Source on)
Khí Argon
Độ tinh khiết	Min 4.8
Áp lực	3 Bar
Hệ thống quang học
Hệ quang học	Theo nguyên lý Paschen-Runge Mounting

	Đường truyền ánh sáng trực tiếp đến buồng quang học.
Dải bước sóng phân tích	119– 766 nm
Cảm biến	Cảm biến Multi- CMOS (4096 pixel per chip) với độ phân giải Pixel được tối ưu hóa.
Độ phân giải CMOS	7 pico-meter
Độ tương phản
Tiêu cự	400 mm
Mật độ rãnh
Hệ thống chân không	Bơm có công suất 700w, có độ ồn thấp, ít phát sinh nhiệt và không cần bảo dưỡng bơm.
Hệ thống chân không	Kết nối qua Shut-off- valve, dễ dàng bảo dưỡng và thay thế cửa sổ quang học
Bộ phát plasma	Kỹ thuật phát tia lửa điện năng lượng cao (HEPS) giúp đốt mẫu tốt hơn
	Cài đặt các thông số bằng phần mềm
	Tần số: 80 – 1000 Hz
	Điện áp: 250- 500 V
Bộ giá kẹp mẫu	Bộ giá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, có thể đặt có những mẫu có kích thước
	Kết cấu Jet-Stream-electrode cho thực hiện trên các mẫu nhỏ và mẫu có hình dạng phức tạp. Tối ưu hóa mức tiêu thụ Argon là thấp nhất.
	Bàn kẹp mẫu được điều chỉnh đa năng
	Tấm nắp có thể thay đổi cho từng loại mẫu khác nhau.
Giới hạn phân tích của 1 số nguyên tố	C: 2 ppm; B: 1ppm; Si: 5 ppm; P: 2 ppm; S: 2 ppm; Mg: 1 ppm; N: 5 ppm; O: 10ppm;